专利详情

专利名称	使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法
申请号	CN200910196237.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101673755	公开（授权）日	2010.03.17
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李宜瑾;凌云;宋志棠;封松林
主分类号	H01L27/24(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/24(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I
专利有效期	使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法至使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于微电子技术领域，公开了一种使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法。所述相变存储器单元由复合结构二极管与存储单元构成。其基本特征在于：使用了复合结构的二极管作为相变存储器的选通二极管，此二极管由四层不同特性的半导体材料组成，通过离子注入、固相外延或者化学气相沉积的方法制备。该方法制备的复合结构的二极管有产生的干扰电流小、驱动电流大的特点，同时本发明的结构适用于高密度的相变存储器，采用CMOS工艺，成本低。