专利详情

专利名称	一种光电位移传感器及其制备方法
申请号	CN200910308373.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101672624	公开（授权）日	2010.03.17
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	吴茹菲;洪何清
主分类号	G01B11/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01B11/02(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种光电位移传感器及其制备方法至一种光电位移传感器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种光电位移传感器及其制备方法，属于传感器技术领域。所述光电位移传感器包括激光器、光纤和位移刻度板，激光器安装于被测物体的主轴上，并可沿被测物体的主轴进行运动；激光器产生的激光束通过光纤照射到位移刻度板上；位移刻度板上的位移刻度由具有光电导效应的半导体材料制成，位移刻度板用于感应通过光纤传输的激光束，并产生光电流。本发明光电位移传感器的结构简单紧凑、体积小、便于携带且测量精度相对传统的位移传感器大幅度提高，由于采用光电技术实现了非接触式位移传感，可以延长传感器的使用寿命，同时能够应用于微电子的大规模生产技术中，使得生产成本下降，传感器的价格相对国外类似高端产品的价格低廉。