专利详情

专利名称	具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法
申请号	CN201110064300.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102157640A	公开（授权）日	2011.08.17
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	李璟;王国宏;魏同波;张杨;孔庆峰
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I;H01L33/24(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I
专利有效期	具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法至具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，包括：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层，形成GaN外延片；将GaN外延片放入蒸发台，在P-GaN层的表面蒸镀CsCl或氯化物；蒸镀结束后，向蒸发台腔室中充入水汽，控制相对湿度使P-GaN层表面的CsCl或氯化物吸收水分逐渐长大形成CsCl或氯化物的纳米岛；将CsCl或氯化物纳米岛作为刻蚀掩膜，对GaN外延片进行刻蚀，形成表面粗化的GaN外延片；再将GaN外延片的一侧进行刻蚀，形成台面；在GaN外延片的上表面蒸镀一层ITO薄膜；在GaN外延片的上表面制作P电极，在台面上制作N电极，完成器件制备。