一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法
- 申请号:CN200910196101.X
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号:CN101671538
- 公开(公开)日:2010.03.17
- 法律状态:授权
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专利详情
| 专利名称 | 一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法 | ||
| 申请号 | CN200910196101.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN101671538 | 公开(授权)日 | 2010.03.17 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明(设计)人 | 张泽芳;刘卫丽;宋志棠 |
| 主分类号 | C09K3/14(2006.01)I | IPC主分类号 | C09K3/14(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B24B37/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法 至一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法,包括下列步骤:1)在硅溶胶中加 入有机添加剂,搅拌溶解,而后加入三价铈盐或四价铈盐制得分散液;2)将分散液置于带 有聚四氟内衬的高压釜中,密封后,加热反应;3)反应完毕后离心分离、提纯、烘干,最 终制得氧化硅/氧化铈复合磨粒。采用本发明制得的氧化硅/氧化铈核壳复合磨料中没有均 相成核的氧化铈粒子,该复合磨粒适用于超大规模集成电路和玻璃的化学机械抛光,其优 点是有效提高抛光去除率和选择比,并可以降低表面的粗糙度,消除划痕等缺陷。 | ||
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