专利详情

专利名称	基于稠环噻吩和苯并噻二唑的共轭聚合物及其制备方法和应用
申请号	CN200810222098.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101671428	公开（授权）日	2010.03.17
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	占肖卫;张仕明;刘瑶
主分类号	C08G61/12(2006.01)I	IPC主分类号	C08G61/12(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I
专利有效期	基于稠环噻吩和苯并噻二唑的共轭聚合物及其制备方法和应用至基于稠环噻吩和苯并噻二唑的共轭聚合物及其制备方法和应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一类基于稠环噻吩和苯并噻二唑的共轭聚合物及其制备方法，以及该共轭聚合物作为活性层材料在有机光电子器件如聚合物太阳能电池、有机场效应晶体管和有机发光二极管中的应用。本发明的基于稠环噻吩和苯并噻二唑的共轭聚合物具有优异太阳光捕获能力和空穴传输能力，该类共轭聚合物溶液加工性、热稳定性、电荷传输性、吸光性好，是有机电子器件如太阳能电池、场效应晶体管和发光二极管中理想的有机半导体材料。其通式如上所示。