专利详情

专利名称	基于硅纳米线的荧光化学逻辑开关及其制备方法
申请号	CN200810239879.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101671020	公开（授权）日	2010.03.17
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	师文生;穆丽璇
主分类号	C01B33/00(2006.01)I	IPC主分类号	C01B33/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;C09K9/00(2006.01)I
专利有效期	基于硅纳米线的荧光化学逻辑开关及其制备方法至基于硅纳米线的荧光化学逻辑开关及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于一维纳米结构的荧光化学逻辑开关领域，特别涉及基于硅纳米线的荧光化学逻辑开关及其制备方法。本发明的方法是将由气相沉积法制备得到的硅纳米线进行表面处理，其表面处理是表面等离子体处理、激光照射、离子表面轰击或用化学方法进行表面活化；然后在对表面处理过的干燥的硅纳米线的表面进行修饰，在其表面共价修饰有逻辑开关功能的丹磺酰胺，得到基于硅纳米线的荧光化学逻辑开关。本发明的基于硅纳米线的荧光化学逻辑开关可用于制备体积更小、集成化程度更高的光化学逻辑器件。