专利详情

专利名称	一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法
申请号	CN200810119582.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101667716	公开（授权）日	2010.03.10
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	渠红伟;郑婉华;刘安金;王科;张冶金;彭红玲;陈良惠
主分类号	H01S5/183(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/183(2006.01)I;H01S5/187(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I
专利有效期	一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法至一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明是一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制作方法。所述激光器包括N电极(1)，N型GaAs衬底(2)，N型 GaAs/AlGaAs材料系的下分布布拉格反射镜(DBR)(3)，InP基应变量子阱有源区(4)，GaAs/AlGaAs材料系的上DBR(5)，其中上DBR(5)，由P型DBR(6)和本征DBR(7)组成，SiO₂掩膜(8)，P电极(9)，出光窗口(10)。所述结构和所述方法改进了传统长波长VCSEL的DBR 材料折射率差较小，热导、电导差的缺点，不仅可实现很好的电流限制，而且降低材料的吸收损耗、生长的难度和免去二次外延工艺步骤。