专利详情

专利名称	一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法
申请号	CN200810119581.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101667715	公开（授权）日	2010.03.10
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	渠红伟;郑婉华;刘安金;王科;张冶金;彭红玲;陈良惠
主分类号	H01S5/183(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/183(2006.01)I;H01S5/187(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I
专利有效期	一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法至一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明是一种单模高功率垂直腔面发射激光器，属半导体光电子领域。其特征在于，包括P型电极(1)，P型Si衬底(2)，金属键合层(3)， P型分布布拉格反射镜(DBR)(4)，氧化限制层(5)，有源区(6)，N 型DBR(7)，SiO₂掩膜(8)，聚酰亚胺或苯并环丁烯(BCB)(9)，N 电极(10)，光子晶体(11)，出光窗口(12)。在该结构的垂直腔面发射激光器中引入光子晶体，可增大氧化孔径，提高单模输出功率，同时采用键合技术将传统VCSEL外延片转移到Si衬底上和采用底部出光的设计，便于拉近VCSEL外延片有源区与Si衬底的距离，改善器件热学特性，进一步提高单模输出功率。