专利详情

专利名称	一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法
申请号	CN200910241919.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101707089	公开（授权）日	2010.05.12
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	王雷;马衍伟;齐彦鹏;王栋樑;张志宇;高召顺;张现平
主分类号	H01B13/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01B13/00(2006.01)I;H01B12/02(2006.01)I
专利有效期	一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法至一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种提高A1-xKxFe2As2(A＝Ba或Sr)超导体上临界场和临界电流密度的方法，其特征是，在A1-xKxFe2As2(A＝Ba或Sr)块材或线带材的先驱粉中添加银粉或铅粉，混合均匀后，将先驱粉压制成块，或填入金属管拉拔轧制成线带材。再将块材或线带材在保护气氛下，经500-1100℃焙烧0.5-100小时，可以得到A1-xKxFe2As2(A＝Ba或Sr)块材或线带材。本发明有效提高了铁基超导体的上临界场和临界电流密度。