相变存储材料及其制备方法
- 申请号：CN201110033438.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号：CN102157685A
- 公开(公开)日：2011.08.17
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 相变存储材料及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201110033438.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102157685A | 公开（授权）日 | 2011.08.17 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;夏梦姣;饶峰 |
| 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 相变存储材料及其制备方法 至相变存储材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种相变存储材料及其制备方法，所述制备方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成非晶Si-SbxTe1-x材料层，其中0.1≤x≤0.9；在非晶Si-SbxTe1-x材料层上形成富含H的SiNy层，其中1≤y≤1.5；对Si-SbxTe1-x材料层及SiNy层进行快速退火，使其中的非晶Si转变为微晶Si以形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料。相较于现有技术，本发明提供的是微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，微晶态的Si晶粒尺寸在3纳米至20纳米左右，缺陷比非晶态Si少，能有效抑制氧化，阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散，具有更稳定的特性。 | ||
交易流程
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