专利详情

专利名称	一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法
申请号	CN201110054019.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102157622A	公开（授权）日	2011.08.17
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	黄寓洋;张耀辉;殷志珍;崔国新;张宇翔;冯成义;李文
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法至一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造领域，这种制造方法，包括：使用分子束外延或者金属有机物化学气相沉积法在衬底上沉积至少包括自衬底往上生成且依次连接的隔离层、下接触层、隧道结、多结p-n结结构、顶接触层的多结p-n结串联的太阳能电池外延材料；使用光刻技术和刻蚀技术腐蚀出下接触层台面，将腐蚀台面刻蚀到下层隔离层；使用沉积方法在太阳能电池外延材料正面生长钝化绝缘层，并使用光刻和刻蚀技术开出电极窗口和入光窗口；使用光刻和镀膜技术在电极窗口和钝化绝缘层上制备电连接层，通过剥离技术和退火工艺，形成顶接触层和下接触层之间的电连接。这种太阳能电池的特点是高效，高压输出，轻量和柔性。