专利详情

专利名称	一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法
申请号	CN201110054010.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102163547A	公开（授权）日	2011.08.24
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	黄寓洋;崔国新;殷志珍;张宇翔;冯成义;张耀辉
主分类号	H01L21/027(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/027(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I
专利有效期	一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法至一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，这种方法包括以下步骤：首先选取与芯片(4)厚度一致的基片(1)，在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)和光刻胶(3)，用芯片(4)作为掩膜，光刻出中央开口的图形；腐蚀形成第一通孔(6)，深刻蚀得到第二通孔(7)；接着将光刻胶(3)和硬掩膜层(2)去除，得到甩胶套(8)；然后将芯片(4)放入甩胶套(8)的第二通孔(7)，甩胶套(8)固定在支撑薄膜(9)上，支持薄膜(9)固定在甩胶机上；将光刻胶(10)滴在芯片(4)表面进行甩胶，得到芯片表面厚度均匀的光刻胶(11)。该技术能够有效减少光刻胶边的厚度，提高芯片面积的利用率，并增加后续工艺的完整性。