专利详情

专利名称	一种制备石墨烯的方法
申请号	CN201110026532.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102161482A	公开（授权）日	2011.08.24
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	刘云圻;陈建毅;黄丽平;武斌;薛运周;耿德超;于贵
主分类号	C01B31/04(2006.01)I	IPC主分类号	C01B31/04(2006.01)I
专利有效期	一种制备石墨烯的方法至一种制备石墨烯的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备石墨烯的方法。该方法，包括如下步骤：1)将基底在非氧化性气氛中升温至800-1200℃保持10-20分钟；2)保持所述步骤1)中的温度不变，向步骤1)反应体系中充入碳源和氢气，采用化学气相沉积法在所述步骤1)处理完毕的基底上进行反应，反应完毕关闭碳源，在非氧化性气氛下冷却到室温得到所述石墨烯。该石墨烯可以为离散的纳米薄片，也可以为连续的石墨烯膜。在石英基底上生长石墨烯可以直接用于高性能透明导电电极。在带有二氧化硅层的硅基底上生长石墨烯，不需要转移可直接用于电子器件组装，工艺简单，并且和现有半导体工业兼容。