专利详情

专利名称	制备相变材料的溅射靶材的方法
申请号	CN200910196760.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101665916	公开（授权）日	2010.03.10
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;陈邦明;宋三年
主分类号	C23C14/34(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/34(2006.01)I;G11B9/04(2006.01)I
专利有效期	制备相变材料的溅射靶材的方法至制备相变材料的溅射靶材的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种制备相变材料的溅射靶材的方法，其首先将已使用过的具有孔隙的相变材料溅射靶材通过抛光工艺去除其表面的氧化物和杂质，再采用去离子水清洗已经过抛光处理的溅射靶材，接着将经过清洗后的溅射靶材放入真空炉中烘干，最后将与所述溅射靶材同材质的靶材粉末填充在经过烘干的溅射靶材的孔隙中，然后再将所述溅射靶材放在真空热压烧结炉中进行热压烧结以制备出新的相变材料的溅射靶材，如此可有效降低生产成本，避免资源的浪费。