专利详情

专利名称	镍有序多孔阵列薄膜及其制备方法
申请号	CN200810195830.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101665902	公开（授权）日	2010.03.10
申请（专利权）人	中国科学院合肥物质科学研究院	发明（设计）人	杨金伶;段国韬;蔡伟平;刘培生
主分类号	C23C14/04(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/04(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;H01F10/14(2006.01)I;G11B5/62(2006.01)I;G11C11/14(2006.01)I
专利有效期	镍有序多孔阵列薄膜及其制备方法至镍有序多孔阵列薄膜及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种镍有序多孔阵列薄膜及其制备方法。薄膜由镍有序多孔阵列构成，阵列中的孔为正六边形或圆形，且呈六方周期排列，孔的对角线或直径为650～1600nm、孔间距为200～1000nm、孔周期为1000～2000nm，薄膜厚度为20～50nm、空隙率为60～90％；方法为先将聚苯乙烯悬浮液置于旋转的平面基底上，得到单层胶体晶体模板，再将模板置于温度为60～150℃ 下加热6～15min，之后，先将其置于氩气氛下用等离子体刻蚀6～100min，再将其置于温度为60～150℃下加热0～15min，然后，先将处理过的模板置于压力为1～9×10^-5Pa、温度为900～1000℃下热蒸镀金属镍3～9h，再将其置于二氯甲烷溶液中超声处理5～120s，制得薄膜。它可用于高密度磁存储介质，以及传感器、隐形材料和高效催化剂等领域。