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一种含氟脂环二酐化合物及其制备方法与应用

  • 申请号:CN201210359965.0
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院化学研究所
  • 公开(公开)号:CN102898407A
  • 公开(公开)日:2013.01.30
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种含氟脂环二酐化合物及其制备方法与应用
申请号 CN201210359965.0 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102898407A 公开(授权)日 2013.01.30
申请(专利权)人 中国科学院化学研究所 发明(设计)人 杨士勇;郭远征;刘金刚;倪洪江
主分类号 C07D307/92(2006.01)I IPC主分类号 C07D307/92(2006.01)I;C08G73/10(2006.01)I;C08L79/08(2006.01)I;C09K19/56(2006.01)I;G02F1/1337(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I
专利有效期 一种含氟脂环二酐化合物及其制备方法与应用 至一种含氟脂环二酐化合物及其制备方法与应用 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种含氟脂环二酐化合物、制备方法及由其制备的聚酰亚胺液晶取向剂。该含氟脂环二酐化合物的结构式如式I所示。所述聚酰亚胺液晶取向剂的结构通式如式IV所示。制备方法如下:以含氟脂环二酐化合物以及芳香族二胺化合物为原料,通过两步化学酰亚胺法制备的。本发明提供的聚酰亚胺同时含有脂环成分以及芳香成分,对于提高该材料的耐热稳定性、光学透明性、在有机溶剂中的溶解性具有重要作用;此外还含有长侧链取代基,从而赋予其优异的液晶取向特性。由本发明提供的液晶取向剂制备的薄膜晶体管驱动液晶显示器(TFT-LCD)具有高电压保持率、低残余直流电压和可调的预倾角。(式I)(式IV)

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