专利详情

专利名称	纳米晶太阳电池光阳极的制备方法
申请号	CN200910197299.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101692470	公开（授权）日	2010.04.07
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	陶俊超;陈鑫;孙艳;戴宁
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I
专利有效期	纳米晶太阳电池光阳极的制备方法至纳米晶太阳电池光阳极的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种纳米晶太阳电池光阳极的制备方法，该方法是利用化学溶液法，以嵌段聚合物为模板，结合快速退火工艺和旋涂法在掺氟的氧化锡导电玻璃上制备大表面积的介孔TiO2厚膜。将TiO2纳米微球均匀分散在钛前驱溶胶中，高温热处理后TiO2微球分散在TiO2膜中，并和周围的纳米颗粒紧密接触。最终得到的纳米晶太阳电池光阳极同时具有介孔材料大的比表面积和微球的良好的光散射特性。本发明的优点是：纳米晶太阳电池光阳极具有较高的孔隙率和较大的比表面积；利用多次旋涂和快速退火工艺，易于控制光阳极的厚度；TiO2纳米微球的引入，通过提高光阳极的光收集效率，从而有利于提高纳米晶太阳电池的开路电压、短路电流密度和光电转换效率。