专利详情

专利名称	一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法
申请号	CN200910192094.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101691658	公开（授权）日	2010.04.07
申请（专利权）人	中国科学院广州能源研究所	发明（设计）人	徐刚;甄恩明;徐雪青;苗蕾
主分类号	C23C20/08(2006.01)I	IPC主分类号	C23C20/08(2006.01)I
专利有效期	一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法至一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种设备及工艺简单的制备c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法。具体步骤包括：(1)以二乙酰丙酮氧钒为原料，配制成溶胶；(2)以此溶胶为涂覆液，在清洗干净的衬底材料上，采用提拉涂膜法或者旋涂法成膜；(3)在含氧气氛中进行热处理。本发明具有工艺简单，可大面积制备，制备成本低廉等优点。所制备的五氧化二钒薄膜沿c轴方向生长，取向单一，有利于离子的嵌入与脱嵌，可改善锂离子电池阴极及电致变色器件的性能。