专利详情

专利名称	MOS-HEMT器件及其制作方法
申请号	CN201110221372.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102916043A	公开（授权）日	2013.02.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘洪刚;卢力;常虎东;孙兵
主分类号	H01L29/778(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/778(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I
专利有效期	MOS-HEMT器件及其制作方法至MOS-HEMT器件及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明实施例公开了一种MOS-HEMT器件及其制作方法。所述方法包括：提供衬底，所述衬底上具有异质结结构，所述异质结结构包括：依次位于衬底上的缓冲层、沟道层、势垒层和帽层；在所述帽层上依次形成第一金属层和第一介质层；在所述衬底上形成源极和漏极；依次刻蚀所述第一介质层、第一金属层、帽层和预设厚度的势垒层，形成栅沟槽；在所述衬底上形成第二介质层，所述第二介质层覆盖第一介质层表面，且覆盖所述栅沟槽的底部及侧壁；在栅沟槽内填充栅极材料，从而形成栅极。本发明所提供的MOS-HEMT器件制作方法，可以通过光学光刻形成深亚微米尺寸的栅极，从而可提高生产效率、降低生产成本。