专利详情

专利名称	嵌入式单晶硅腔体的六边形硅膜压阻式压力传感器及方法
申请号	CN201010205614.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101881676A	公开（授权）日	2010.11.10
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王家畴;李昕欣
主分类号	G01L1/20(2006.01)I	IPC主分类号	G01L1/20(2006.01)I;G01L9/02(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	嵌入式单晶硅腔体的六边形硅膜压阻式压力传感器及方法至嵌入式单晶硅腔体的六边形硅膜压阻式压力传感器及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种嵌入式单晶硅腔体的六边形硅膜片压阻式压力传感器及方法。其特征是所述微机械压力传感器由(111)单晶硅片单片单面体硅微机械加工而成，采用单晶硅薄膜作为压力传感器的感压膜片，膜片设计成规则六边形且相邻两边夹角均为120°，压力腔体位于膜片正下方且直接嵌入硅片内部，腔体加工分别采用长条和栅格两种结构方式通过横向刻蚀掏空以及缝合而成。根据膜片区域应力分布，利用压阻的纵向效应和横向效应分别设计两种不同类型的压阻排布方式。采用单一硅片单面的体硅微机械加工技术，实现了该传感器的结构加工，并发明了压阻元件集成的方法，可以制作量程从1kPa-50MPa灵敏度高、量程大、尺寸小等特点的压力传感器，具有广阔的应用前景。