专利详情

专利名称	二氧化碳缓冲硅片打孔装置
申请号	CN200910083506.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101880880A	公开（授权）日	2010.11.10
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	景玉鹏;惠瑜
主分类号	C23F1/12(2006.01)I	IPC主分类号	C23F1/12(2006.01)I
专利有效期	二氧化碳缓冲硅片打孔装置至二氧化碳缓冲硅片打孔装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种二氧化碳缓冲硅片打孔装置，包括二氧化碳流量控制器、三氟化氯流量控制器、混合器、减压阀、压力表、真空泵、真空腔室、真空腔压力表、喷头、掩蔽板、硅片架、真空腔温度控制装置、后级泵和尾气处理装置；减压阀、真空泵、真空腔压力表、真空腔温度控制装置和后级泵分别连接于真空腔室，二氧化碳气体通过二氧化碳流量控制器进入混合器，三氟化氯气体通过三氟化氯流量控制器进入混合器，二氧化碳气体和三氟化氯气体在混合器中进行混合，混合气体依次通过减压阀和喷头进入真空腔室，然后经过掩蔽板的掩蔽和束流汇聚调节，对硅片架上的硅片进行打孔。本发明设备简单、刻蚀速率快、侧壁光滑度好、选择比大，实现了对硅片的打孔。