一种制备纳米金属结构的方法
- 申请号：CN201110008475.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号：CN102169819A
- 公开(公开)日：2011.08.31
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种制备纳米金属结构的方法 | ||
| 申请号 | CN201110008475.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102169819A | 公开（授权）日 | 2011.08.31 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 夏晓翔;刘哲;杨海方;李俊杰;顾长志 |
| 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
| 专利有效期 | 一种制备纳米金属结构的方法 至一种制备纳米金属结构的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备纳米金属结构的方法，涉及金属纳米技术，通过在硅表面实现一定深宽比的刻蚀结构，能够实现相互分立的纳米金属线条，从而扩展了传统方法的应用范围，利用高温接触和低温剥离，大大提高了工艺的成功率与可靠性，更加有利于实际应用。本发明方法提高了样品的制作成功率，可以在各类衬底上实现高精细、超光滑的纳米金属结构。克服了传统金属沉积剥离方法的缺陷，从而提供一种高效、精确，且能够实现分立结构的纳米金属结构的制作方法。 | ||
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