专利详情

专利名称	一种用于表面防护的离子束辅助磁控溅射沉积装置及方法
申请号	CN200810120013.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101634012	公开（授权）日	2010.01.27
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	宋振纶;李金龙;孙科沸;冒守栋
主分类号	C23C14/35(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/35(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I
专利有效期	一种用于表面防护的离子束辅助磁控溅射沉积装置及方法至一种用于表面防护的离子束辅助磁控溅射沉积装置及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及用于表面防护的离子束辅助磁控溅射沉积装置及方法，该装置包括真空室、磁控溅射源、工件托架和离子源，其特征在于：所述磁控溅射源安装在真空室的顶部呈密封连接结构，磁控溅射靶通过连接轴与磁控溅射源相连，磁控溅射靶伸入真空室内，且磁控溅射靶与连接轴之间为可转动连接，所述离子源也安装在真空室的顶部呈密封连接结构，离子源的发射头也伸入真空室内，所述工件托架安装在真空室内的底部。与现有技术相比，本发明的优点在于：磁控溅射靶能根据工件的大小和位置调整溅射方向，以达到最佳的溅射的范围；本发明提供的方法，不需要采用高能离子源，而是采用低能、大束流离子束对薄膜进行辅助沉积，可增加膜基结合力和薄膜致密度。