专利详情

专利名称	一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法
申请号	CN200910100141.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101599531	公开（授权）日	2009.12.09
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	李润伟;诸葛飞;何聪丽;汪爱英;代伟
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;C23C14/46(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I
专利有效期	一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法至一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法，该存储单元包括绝缘衬底，绝缘衬底表面设置第一电极，第一电极表面上设置具有电阻转变特性材料制成的中间层，中间层的表面设置第二电极，其特征在于：所述中间层由类金刚石碳薄膜形成。与现有技术相比，本发明的优点在于：中间层不采用氧化物材料，而是采用类金刚石碳薄膜，这种结构的电阻型随机存储器在直流电压连续扫描激励下表现出优异的高低阻态之间的转变和记忆特性，其高低电阻态间的差值可大于10²倍，在连续100次高低阻态循环的过程中，高低阻态的电阻值表现出较好的稳定性；置位电压和复位电压表现出很好的稳定性；这些特性表明本发明在非挥发性存储器件领域具有潜在的应用价值。