专利详情

专利名称	测量材料表面电荷密度的方法
申请号	CN200810100820.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101515003	公开（授权）日	2009.08.26
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	戚桂村;杨延莲;严昊;关丽;裘晓辉;王琛
主分类号	G01R19/08(2006.01)I	IPC主分类号	G01R19/08(2006.01)I;G01R25/02(2006.01)I;G01R31/00(2006.01)I;G01N13/10(2006.01)I
专利有效期	测量材料表面电荷密度的方法至测量材料表面电荷密度的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明提供了一种基于扫描探针显微镜导电针尖的测量材料表面电荷密度的方法，包括：a)对待测材料样品表面形貌进行扫描；b)测量驱动针尖振荡的激励交变信号与针尖实际振荡信号之间的相位角差值Δθ以及相对应的针尖偏压V_t；c)根据Δθ和V_t的关系，对步骤b)得到的Δθ和 V_t进行拟合，得到索引指数；d)根据步骤c)获得的索引指数，在基于Δθ 和V_t的关系的校准曲线中查找所述索引指数所对应的表面电荷密度；所述校准曲线为标准样品表面电荷密度δ_s与系数a₁的关系曲线。本发明克服了现有技术对针尖几何形状建立简单模型的困难，不必再考虑针尖的具体几何形状，使得测量简单，操作简便，对于研究纳米器件和纳米结构的功能有非常重要的意义。