专利详情

专利名称	带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜
申请号	CN200710065294.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101286005	公开（授权）日	2008.10.15
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	刘前;曹四海;郭传飞;李晓军
主分类号	G03F7/004(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/004(2006.01)I
专利有效期	带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜至带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜，包括基底，和依次沉积在基底上的第一保护层、氧化物掩模层、第二保护层、第一金属薄膜和第二金属薄膜；所述的第一金属薄膜和第二金属薄膜，是两种金属在相对较低温度≤500℃下，能形成二元合金的材料的组合；所述的第一保护层厚度为100nm-200nm，所述的掩模层厚度为2nm-30nm，所述的第二保护层厚度为10nm-50nm。本发明的带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜，采用超分辨近场结构和无机热阻膜结合的多层膜结构。在微纳米加工过程中，采用此多层膜结构制作光刻原片，利用普通曝光系统或直写式曝光系统实现曝光，能够简单获得高分辨率的曝光图形。能够在简单地获得高分辨率曝光图形的同时，有效增加纳米构造的高度。