专利详情

专利名称	制备微米级分散体的集成芯片及其装置
申请号	CN200820234945.X	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN201380068	公开（授权）日	2010.01.13
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院	发明（设计）人	郑海荣;姜春香;靳巧峰;王战会
主分类号	B01J19/00(2006.01)I	IPC主分类号	B01J19/00(2006.01)I;B01F3/02(2006.01)I;B01F5/06(2006.01)I
专利有效期	制备微米级分散体的集成芯片及其装置至制备微米级分散体的集成芯片及其装置	法律状态	授权
说明书摘要	本实用新型公开了一种制备微米级分散体的集成芯片和一种采用该芯片的装置；以两层相邻结构为一组结构，该集成芯片包括至少一组结构；在一组结构中，第一层结构设置M级梯度，第二层结构设置N级梯度；M、N是自然数，M小于N；各级梯度中，第一级梯度设置1个通道1，其余第K级梯度分别从第K-1级梯度的每个通道中引出2个对称的通道K；对于第一层结构第M级梯度的任一特定通道M，均对应于第二层结构第M级梯度从某一通道 M所引出的、在第N级梯度形成的2^N-M个特定通道N。在远离各通道M的一侧，分别设置一收集通道；集成芯片还包括至少一与各收集通道的输出端相连接的收集槽，用于收集和导出产物。本实用新型的产率非常高。