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一种青铜工艺Nb3Sn超导体多芯线接头及其制备方法

  • 申请号:CN201010221920.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院电工研究所
  • 公开(公开)号:CN101888026A
  • 公开(公开)日:2010.11.17
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种青铜工艺Nb3Sn超导体多芯线接头及其制备方法
申请号 CN201010221920.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101888026A 公开(授权)日 2010.11.17
申请(专利权)人 中国科学院电工研究所 发明(设计)人 程军胜;王秋良;戴银明;王晖;宋守森
主分类号 H01R4/68(2006.01)I IPC主分类号 H01R4/68(2006.01)I;H01R43/00(2006.01)I;H01R43/28(2006.01)I
专利有效期 一种青铜工艺Nb3Sn超导体多芯线接头及其制备方法 至一种青铜工艺Nb3Sn超导体多芯线接头及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种青铜工艺Nb3Sn超导体多芯线接头及其制备方法,接头的结构由内层至外层分别为:稳定芯、超导连接单元、Nb管和Cu管,上述各层次之间紧密贴合。超导连接单元由内层至外层分别为Nb丝、Nb3Sn化合物层、Cu-Sn合金镀层,其中同一超导连接单元内待连接的不同的超导体多芯线的Nb丝相互搭接,Nb丝表面沉积Cu-Sn合金镀层,Nb3Sn化合物层为Nb丝与Cu-Sn合金镀层于热处理反应过程中在两者之间通过固态扩散生成,不同的超导体多芯线Nb丝表面的Nb3Sn化合物层相互桥接导通,起到超导连接作用,使得青铜工艺Nb3Sn超导体多芯线的接头在超导温度下保持低电阻、低损耗。

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