专利详情

专利名称	集成芯片及其装置、以及制备微米级分散体的方法
申请号	CN200810241260.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101474541	公开（授权）日	2009.07.08
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院	发明（设计）人	郑海荣;姜春香;靳巧峰;王战会
主分类号	B01F3/04(2006.01)I	IPC主分类号	B01F3/04(2006.01)I;B01F5/06(2006.01)I;A61K49/22(2006.01)N
专利有效期	集成芯片及其装置、以及制备微米级分散体的方法至集成芯片及其装置、以及制备微米级分散体的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种集成芯片、一种采用该芯片的装置和一种制备微米级分散体的方法，该集成芯片的基质为表面亲水性基质；以两层相邻结构为一组结构，集成芯片包括至少一组结构；在一组结构中，第一层结构设置M级梯度，第二层结构设置N级梯度；M、N是自然数，M小于N；各级梯度中，第一级梯度设置H1个通道1，第二级梯度从每个通道1中引出H2个分支，形成H1× H2个通道2，以此类推，第N级梯度从每个通道(N-1)中引出HN个分支，形成H1×H2……×HN个通道N。在远离各通道M的一侧，分别设置一收集通道；集成芯片还包括至少一与各收集通道的输出端相连接的收集槽，用于收集和导出产物。本发明的产率非常高，在大规模化生产造影剂方面具有绝对的优势。