专利详情

专利名称	一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法
申请号	CN200710074296.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101299411	公开（授权）日	2008.11.05
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院	发明（设计）人	彭本贤;俞挺;于峰崎
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法至一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法，其包含步骤：利用氖离子二次不同能量大束流低温注入，高温退火后在有源区下面形成空洞层；去除浅槽隔离(STI)上的氮化硅侧墙，用常规 CMOS工艺制作MOSFET器件。本发明所提供的一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法，由于采用了低剂量氖(Ne)离子注入，能产生更高密度的气泡，并采取两次不同能量低温注入形成两层气泡带，高温退火后这两层气泡带相互作用合并成为高致密度单层空洞，由此形成带有散热通道的超浅结SON器件结构，其工艺简单，成本低廉，其大部分步骤采用常规CMOS工艺完成，便于大规模集成电路工业生产，并且降低了生产成本。