专利详情

专利名称	一种在线检测硅纳米晶形态的方法
申请号	CN200910078556.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101813624A	公开（授权）日	2010.08.25
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘明;王永;王琴;杨潇楠
主分类号	G01N21/55(2006.01)I	IPC主分类号	G01N21/55(2006.01)I
专利有效期	一种在线检测硅纳米晶形态的方法至一种在线检测硅纳米晶形态的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种在线检测硅纳米晶形态的方法，包括：准备若干片硅片作为衬底，在该各衬底表面分别生长一隧穿介质层；用稀释氢氟酸处理衬底表面，再在该各衬底表面分别生长一层硅纳米晶；利用波长为365nm的单色光作为入射光入射至各衬底表面，由于表面材料和形貌的不同，反射光强必然会发生变化，记录各种生长时间的纳米晶硅片的反射率，建立生长时间与反射率之间的关系式；将以上各种硅片用扫描电镜和透射电镜进行破片分析，确定不同生长时间纳米晶的形态，建立不同纳米晶形态与生长时间的关系式；将纳米晶不同形态与反射率对应起来，建立相应的关系式，从而根据反射率来确定生长的纳米晶形态。利用本发明，实现了对硅纳米晶形态的在线快速检测。