一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法
- 申请号：CN201010145087.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN101812725A
- 公开(公开)日：2010.08.25
- 法律状态：实质审查的生效
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 | ||
| 申请号 | CN201010145087.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101812725A | 公开（授权）日 | 2010.08.25 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王兵;李志聪;王国宏;闫发旺;姚然;王军喜;李晋闽 |
| 主分类号 | C30B25/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/02(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 至一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法，包括：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用金属有机化合物气相沉积法生长氮化镓成核层，该氮化镓成核层为相变缓冲层；步骤3：在氮化镓成核层上生长非有意掺杂氮化镓层，该非有意掺杂氮化镓层为高结晶质量氮化镓层，完成生长制备。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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成功 - 06 支付尾款
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