专利详情

专利名称	用于金属有机物化学沉积设备的气路装置
申请号	CN201010033967.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101812671A	公开（授权）日	2010.08.25
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	冉军学;王晓亮;胡国新;肖红领;张露;殷海波;李晋闽
主分类号	C23C16/18(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/18(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I
专利有效期	用于金属有机物化学沉积设备的气路装置至用于金属有机物化学沉积设备的气路装置	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开一种用于金属有机物化学沉积(MOCVD)设备的气路装置，其包括：气体入口；从所述气体入口引出的并行布置的多组气路，每一组气路包括并行布置的第一子气路和第二子气路，第一子气路和第二子气路中的每一个都能够选择性地与生长室连通和与排空通道连通。其中：气体通过一组气路时，气体选择性地流过该组气路中第一子气路和第二子气路中的一个；且第一子气路上设置有第一流量计，第二子气路上设置有第二流量计，所述第一流量计的最大量程大于第二流量计的最大量程。本发明通过大量程和小量程流量计及相应的气路切换的设计，在一台MOCVD设备中实现气体由大流量到小流量的精确控制，从而实现不同工艺条件下的高质量的材料外延生长。