专利详情

专利名称	基于金诱导非晶硅结晶的低温键合方法
申请号	CN201110298262.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102485639A	公开（授权）日	2012.06.06
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	熊斌;刘米丰;王跃林;徐德辉
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	基于金诱导非晶硅结晶的低温键合方法至基于金诱导非晶硅结晶的低温键合方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种基于金诱导非晶硅结晶的低温键合方法，首先在上基板的键合面上制备出氧化硅层，在氧化硅层上依次蒸发或溅射出钛、金膜，并去除非键合区域的钛、金膜；其次在下基板的键合面上制备出氧化硅层及非晶硅层，在非晶硅层上依次蒸发或溅射钛、金膜，并去除非键合区域的所述非晶硅层、及钛、金膜；然后，将上、下基板的键合面对准并贴合后，送入键合机，升温至250~300℃，并施加0.2~0.4MPa的压力，冷却到室温；最后，将从键合机取出的键合至一起的上、下基板送入退火炉，退火3~12小时，冷却到室温，完成金诱导非晶硅结晶的低温键合。本发明的低温键合方法不仅适用于硅圆片的键合，还可以用于非硅圆片的键合，并且由于低温的特性，具有很广的应用范围。