专利详情

专利名称	一种半导体结构及其制造方法
申请号	CN201010572608.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102487014A	公开（授权）日	2012.06.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;罗军;朱慧珑;骆志炯
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I
专利有效期	一种半导体结构及其制造方法至一种半导体结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，并且在衬底上形成伪栅堆叠、附着于所述伪栅堆叠侧壁的侧墙、以及位于伪栅堆叠两侧的源/漏区，其中伪栅堆叠包括伪栅极；在源/漏区表面形成第一接触层；形成覆盖第一接触层的层间介质层；去除伪栅极或伪栅堆叠以形成开口，在开口内填充第一导电材料或者填充栅介质层和第一导电材料，以形成栅堆叠结构；在层间介质层中形成接触孔，接触孔暴露第一接触层或者第一接触层和源/漏区的部分区域；在部分区域表面形成第二接触层；在接触孔中填充第二导电材料，形成接触塞。以及，一种半导体器件。利于降低接触电阻。