沟槽隔离结构及其形成方法
- 申请号：CN201010557395.7
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102479738A
- 公开(公开)日：2012.05.30
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 沟槽隔离结构及其形成方法 | ||
| 申请号 | CN201010557395.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102479738A | 公开（授权）日 | 2012.05.30 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;赵超;梁擎擎 |
| 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
| 专利有效期 | 沟槽隔离结构及其形成方法 至沟槽隔离结构及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种沟槽隔离结构及其形成方法，所述沟槽隔离结构包括：半导体基底；沟槽，形成于所述半导体基底的表面上，其中填充有介质层，所述介质层的材料为晶体材料。本发明利于减小边沟的尺寸，改善半导体器件性能的影响。 | ||
交易流程
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