专利详情

专利名称	一种有机场效应晶体管的制作方法
申请号	CN201210406370.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102903850A	公开（授权）日	2013.01.30
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	胡文平;纪德洋;江浪;董焕丽
主分类号	H01L51/40(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/40(2006.01)I
专利有效期	一种有机场效应晶体管的制作方法至一种有机场效应晶体管的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种有机场效应晶体管的制作方法。该方法包括如下步骤：（1）清洗表面设有栅电极的基底；（2）在所述栅电极上沉积聚合物绝缘层；所述聚合物绝缘层为聚苯乙烯绝缘层或聚甲基丙烯酸甲酯绝缘层；（3）在所述聚合物绝缘层上悬涂光刻胶，然后置于光刻掩膜板下进行曝光和显影，得到图案化的源漏电极；然后再置于紫外光下进行再次曝光；再继续蒸镀金膜，然后再显影液处理后得到源漏电极；（4）在得到的源漏电极上蒸镀有机半导体层即得到有机场效应晶体管。本发明具有以下有益效果：1、本方法可以在处理温度低（50℃）的绝缘层上进行光刻。2、采用二次曝光的方法，巧妙的避开了丙酮对于绝缘层的影响。