专利详情

专利名称	半导体发光器件及其制造方法
申请号	CN201210375368.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102891232A	公开（授权）日	2013.01.23
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	郭恩卿;伊晓燕;王国宏;刘志强
主分类号	H01L33/14(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/14(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	半导体发光器件及其制造方法至半导体发光器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件，包括：第二电极；第一掺杂类型的第一半导体层，与第二电极电性连接；有源层，形成于第一半导体层上；第二掺杂类型的第二半导体层，形成于有源层上；第一掺杂类型的第一简并半导体层，形成于第二半导体层上；第二掺杂类型的第二简并半导体层，形成于第一简并半导体层上；第一电极，与第二简并半导体层电性连接。本发明通过在半导体发光器件插入正偏的隧穿pn结，大幅增强功率型半导体发光器件的电流分布均匀性，解决电流集边效益。