一种CMOS带隙基准电压源
- 申请号：CN201110204365.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102890526A
- 公开(公开)日：2013.01.23
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种CMOS带隙基准电压源 | ||
| 申请号 | CN201110204365.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102890526A | 公开（授权）日 | 2013.01.23 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;张君宇;张满红;霍宗亮;谢常青;潘立阳;陈映平;刘阿鑫 |
| 主分类号 | G05F3/30(2006.01)I | IPC主分类号 | G05F3/30(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种CMOS带隙基准电压源 至一种CMOS带隙基准电压源 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种CMOS带隙基准电压源。所述电压源包括输入电流源Iref、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q1和三极管Q2。本发明CMOS带隙基准电压源由于未采用运算放大器和自启动电路，版图上占用面积会显著减小，结构简单，需要规避的风险更小，有助于提高产品良率；同时由于没有运算放大器，也不会受到运算放大器的失调影响，有利于精度的提高。 | ||
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