专利详情

专利名称	一种双面对称弹性梁结构电容式微加速度传感器及方法
申请号	CN201110379369.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102495234A	公开（授权）日	2012.06.13
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	车录锋;周晓峰;熊斌;王跃林
主分类号	G01P15/125(2006.01)I	IPC主分类号	G01P15/125(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种双面对称弹性梁结构电容式微加速度传感器及方法至一种双面对称弹性梁结构电容式微加速度传感器及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及双面对称弹性梁结构电容式微加速度传感器及制作方法，其特征在于(1)双器件层SOI硅片为弹性梁-质量块结构的基片；(2)固定上电极、固定下电极分别位于质量块的上下两边；(3)弹性梁为直梁，其一端与质量块相连，另一端与支撑框架相连；(4)过载保护凸点制作在质量块的上下两面；(5)阻尼调节槽制作在质量块的上下两面；(6)质量块电极引出通孔的位置在支撑框架之上。利用湿法腐蚀自停止技术，在湿法腐蚀中一次加工形成加速度传感器中最为重要的弹性梁-质量块结构；利用硅硅直接键合方法实现了三层硅片的键合，质量块电极引出通孔通过红外对准光刻在固定上电极制作。在提高器件灵敏度的同时也降低了交叉轴灵敏度。