专利详情

专利名称	纳米流体二极管及其制造方法
申请号	CN201210415048.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102923635A	公开（授权）日	2013.02.13
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	弓晓晶;刘磊;邱永鑫;王子武;张锦平;王建峰;徐科
主分类号	B81B1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81B1/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	纳米流体二极管及其制造方法至纳米流体二极管及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种纳米流体二极管，包括支撑衬底、氧化物掩膜层以及纳米孔道；所述氧化物掩膜层覆盖于支撑衬底表面；在沿垂直支撑衬底与氧化物掩膜层接触面的方向，所述纳米孔道贯穿所述支撑衬底；所述纳米孔道表面具有一覆盖层，所述覆盖层与支撑衬底由不同的材料构成，利用支撑衬底与覆盖层异质结构界面中二维电子气形成的电荷分布，在覆盖层表面具有正电荷聚集；所述氧化物掩膜层具有一通孔，所述通孔贯穿所述氧化物掩膜层并与纳米孔道相通，所述氧化物掩膜层的通孔表面具有负电荷聚集。本发明纳米流体二极管及其制造方法制备工艺简单、易形成PN接触。