专利详情

专利名称	水冷却平板层状CuCrZr/OFHC-Cu/CVD-W面向等离子体部件及其制作方法
申请号	CN201210260306.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102922815A	公开（授权）日	2013.02.13
申请（专利权）人	中国科学院等离子体物理研究所	发明（设计）人	赵四祥;谢春意;徐跃;罗广南
主分类号	B32B15/01(2006.01)I	IPC主分类号	B32B15/01(2006.01)I;B32B15/20(2006.01)I;C25D3/38(2006.01)I;C23C16/06(2006.01)I;C23C28/02(2006.01)I
专利有效期	水冷却平板层状CuCrZr/OFHC-Cu/CVD-W面向等离子体部件及其制作方法至水冷却平板层状CuCrZr/OFHC-Cu/CVD-W面向等离子体部件及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种水冷却平板层状CuCrZr/OFHC-Cu/CVD-W面向等离子体部件及其制作方法，包括有三层结构，三层结构自下至上依次为热沉、适配层、面向等离子体材料，热沉采用沉淀硬化的CuCrZr合金材料，适配层采用厚度为1-3?mm低氧含量高纯软铜材料OFHC-Cu，面向等离子体材料采用厚度为1-4?mm的化学气相沉积钨涂层CVD-W，OFHC-Cu表面预毛化处理提高结合强度，热沉中开有通孔作为冷却水通道，冷却水通道中通有循环水。本发明提出的是一种低成本、高冷却效率和可靠性强的PFC方案，可应用于聚变装置中正常运行时热负荷相对较低（稳态热流＜5?MW/m2）的面向等离子体区域。