专利详情

专利名称	蒸发镀膜装置及获得其源炉的工作温度的方法
申请号	CN201210468515.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102925864A	公开（授权）日	2013.02.13
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院;香港中文大学	发明（设计）人	罗海林;杨春雷;顾光一;肖旭东
主分类号	C23C14/24(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/24(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I
专利有效期	蒸发镀膜装置及获得其源炉的工作温度的方法至蒸发镀膜装置及获得其源炉的工作温度的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种蒸发镀膜装置，包括：进样室；镀膜工艺室，与进样室真空相连，镀膜工艺室包括提供铜、铟、镓或硒蒸气的源炉、薄膜生长过程中固定衬底的样片台、加热源炉和衬底的加热装置；称重室，与镀膜工艺室真空相连，用于分别称量所述衬底的重量、制备有铜、铟、镓或硒薄膜的衬底的重量；出样室，与镀膜工艺室真空相连；及衬底传输系统，用于将衬底在进样室、镀膜工艺室、称重室及出样室之间传递。该蒸发镀膜装置设置了称重室，镀膜和称重都是在真空状态下进行，避免了普通称重法中因衬底和膜层的吸湿性以及膜层在空气中发生化学反应带来的误差，获得的束流与源炉的温度关系较精准。本发明还提供一种利用该装置获得镀膜时源炉的工作温度的方法。