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用于Nb3Sn超导线圈真空浸渍的装置及其浸渍方法

  • 申请号:CN201010281952.7
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院电工研究所
  • 公开(公开)号:CN101982862A
  • 公开(公开)日:2011.03.02
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 用于Nb3Sn超导线圈真空浸渍的装置及其浸渍方法
申请号 CN201010281952.7 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101982862A 公开(授权)日 2011.03.02
申请(专利权)人 中国科学院电工研究所 发明(设计)人 程军胜;宋守森;王秋良;戴银明
主分类号 H01F41/04(2006.01)I IPC主分类号 H01F41/04(2006.01)I;H01F41/12(2006.01)I;B29C70/44(2006.01)I
专利有效期 用于Nb3Sn超导线圈真空浸渍的装置及其浸渍方法 至用于Nb3Sn超导线圈真空浸渍的装置及其浸渍方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种Nb3Sn超导线圈真空浸渍的装置及其浸渍方法,应至少包括有线圈骨架(1)、内孔封盖(4)、浸渍桶体(2)、浸渍桶端板(3)。真空浸渍装置的构成是:将线圈骨架的直径较小的一侧端板与内孔封盖密封连接,将线圈骨架的直径较大的一侧端板与浸渍桶体的一端密封连接,将浸渍桶体的另一端与浸渍桶端板密封连接,共同组成封闭的真空浸渍装置。浸渍桶端板(3)上至少安装有:环氧树脂灌充口(10),充放气口(9)、正负气压表(6)、电流引线柱(8)、温度计(7)、观察窗(5)。

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