一种单层石墨烯的制备方法
- 申请号:CN201010515366.4
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海应用物理研究所
- 公开(公开)号:CN101973543A
- 公开(公开)日:2011.02.16
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种单层石墨烯的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201010515366.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN101973543A | 公开(授权)日 | 2011.02.16 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院上海应用物理研究所 | 发明(设计)人 | 张玉杰;张欢;胡文兵;樊春海;黄庆 |
| 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种单层石墨烯的制备方法 至一种单层石墨烯的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供一种单层石墨烯的制备方法,所述制备方法的起始原料为氧化石墨烯固体,包括:将所述氧化石墨烯和聚合物表面活性剂分别分散于二甲基甲酰胺中;将上述两溶液混合均匀,于140-160℃下反应1-2小时;冷却至室温,抽滤得到石墨烯固体,该固体分散在水中形成聚合物保护的单层石墨烯。根据本发明的方法制备单层石墨烯,省略了现有技术中常用的有毒有害的还原剂,对氧化石墨烯进行热还原,其有机溶剂二甲基甲酰胺在还原过程中具有协助作用;对环境没有污染,有利于环境保护;工艺简单,便于操作,原料成本低廉易得,适合低成本、大规模生产。 | ||
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