专利详情

专利名称	一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法
申请号	CN201010560898.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102011103A	公开（授权）日	2011.04.13
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心	发明（设计）人	刘键;饶志鹏;夏洋;石莎莉
主分类号	C23C16/36(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/36(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I
专利有效期	一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法至一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法，包括如下步骤：在原子层沉积腔室中，通入气相前驱体，形成一种具有未成键电子的物质，与衬底表面原子形成共价键，实现化学吸附；通入与衬底表面发生取代反应的气体，形成所需的sp3杂化的氮碳单键结构。本发明应用于原子层沉积技术制备氮化碳薄膜，使用该方法形成的结构能够利用每一层间的相互作用，实现结构上的一致性、单晶性。