专利详情

专利名称	纳米级侧壁限制电阻转换存储器单元及制造方法
申请号	CN201010141273.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101826546A	公开（授权）日	2010.09.08
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张挺;宋志棠;刘波;封松林
主分类号	H01L27/24(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	纳米级侧壁限制电阻转换存储器单元及制造方法至纳米级侧壁限制电阻转换存储器单元及制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种纳米级侧壁限制的电阻转换存储器单元及其制造方法，该存储器单元结构，包括：上电极、下电极、以及分别与上电极和下电极相接触的存储单元，在所述存储单元周围设有绝缘材料将其隔离，所述存储单元在平行于电极方向的横截面为平行四边形，且所述平行四边形的其中一边长为另一边长的1.5倍以上，所述存储单元与所述一电极的接触面积等于或大于其与所述另一电极的接触面积。本发明通过绝缘侧壁限制了存储单元的体积，有效地缩小了存储单元与电极的接触面积，降低了功耗，而且绝缘侧壁对存储单元还起到了绝缘、绝热、抗扩散的作用，从而可提升存储器的可靠性。