专利详情

专利名称	复合电流调制半导体激光干涉仪
申请号	CN201210109794.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102636109A	公开（授权）日	2012.08.15
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	王渤帆;李中梁;王向朝;崔丽君
主分类号	G01B9/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01B9/02(2006.01)I;G01B11/02(2006.01)I
专利有效期	复合电流调制半导体激光干涉仪至复合电流调制半导体激光干涉仪	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种复合电流调制半导体激光干涉仪，适用于距离测量。其结构包括光源、隔离器、光纤耦合器、准直器、光电探测器、分束镜、参考反射镜、信号处理器、反馈控制器。所述的光源带有驱动电源和温度控制器；驱动电源提供两个不同频率的正弦调制电流，对光源进行调制。光电探测器将接收到的干涉信号转换成电信号输入到信号处理器内计算待测距离。反馈控制器与光电探测器相连，通过反馈控制锁定高频调制深度。与在先技术相比，本发明的干涉仪结构简单紧凑，利用复合电流实现了双正弦相位调制；并通过反馈控制锁定工作参数，增强了系统稳定性，提高了测量精度，同时实现了实时测量。