专利详情

专利名称	一种基于垂直磁化自由层的自旋微波振荡器及其制造方法
申请号	CN201210129734.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102637939A	公开（授权）日	2012.08.15
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	曾中明;张宝顺
主分类号	H01P7/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01P7/00(2006.01)I;H01P11/00(2006.01)I
专利有效期	一种基于垂直磁化自由层的自旋微波振荡器及其制造方法至一种基于垂直磁化自由层的自旋微波振荡器及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于垂直磁化自由层的自旋微波振荡器及其制造方法。该自旋微波振荡器包括磁性多层膜以及与其连接的电极，磁性多层膜包括：种子层；形成于种子层上的，具有面内平衡磁化状态的第一磁性层；形成于第一磁性层之上的非磁性隔离层；形成于非磁性隔离层之上的具有垂直磁化的磁性自由层；以及形成于自由层之上的保护层。其制造方法为：采用磁控溅射方法在衬底上依次形成磁性多层膜，再通过微电子工艺将磁性多层膜加工为纳米柱状或点接触结构，并在磁性多层膜上设置上、下电极，形成目标产物。该自旋微波振荡器可获得大的微波功率输出，亦无需外加磁场，同时还具有尺寸小、结构简单、宽频可调和易集成等特点，且易于制备，成本低廉。