专利详情

专利名称	一种鳍型场效应晶体管的制备方法
申请号	CN201110046786.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102651320A	公开（授权）日	2012.08.29
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	周华杰;徐秋霞;宋毅
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	一种鳍型场效应晶体管的制备方法至一种鳍型场效应晶体管的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种鳍型场效应晶体管的制造方法，包括：在半导体衬底上形成Ω形鳍片；在所述Ω形鳍片的顶部及侧面形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的Ω形鳍片中形成源/漏结构；金属化。其中，除所述Ω形鳍片底部通过较窄的硅条与半导体衬底相连以外，其余栅堆叠结构部分与半导体衬底之间通过隔离介质层隔离开。本发明消除了SOI器件存在的自加热效应和浮体效应，具有更低的成本；克服了一般体硅鳍型场效应晶体管(Bulk?FinFET)泄漏电流大的缺点，具有更好的短沟道效应(SCE)特性；与CMOS平面工艺的良好兼容，易于集成。